현재 사용하지 않는 이유 소자의 성능을 높이기 위해 scaling이 적용됨→ source와 drain 사이의 거리(channel lengh)가 점차 감소→ drain에 걸리는 전압이 source에 영향을 미쳐 전자를 끌어당김 (누설전류, leakage current)→ 누설전류를 막기 위해 Gate 전압이 미치는 영향을 더 크게 해줘야 함→ Gate와 body사이의 SiO2의 두께를 더 얇게 제작 ( ∵ 유전상수 = 유전율 / 두께로 정의되므로, 두께가 얇아질수록 유전 상수가 커져 SiO2 위아래로 저장되는 전자 개수가 증가)→ 1.2nm 이하로 SiO2을 제작 시 전자가 SiO2을 통과하는 Tunneling 발생→ SiO2의 한계점→ 이를 극복한 것이 high-K 물질을 활용한 ga..
