Depo와 Etch을 다루기 전에 플라즈마에 대해 다룬 이후에 다루고자 합니다.
1. Plasma란?
● Plasma = 디파이 차폐를 만족하는 이온화된 기체
● 고체, 액체, 기체와 더불어 4번째 물질 상태
● 기체 상태의 분자나 원자가 이온화되어, 4가지 종류의 상태가 섞인 상태 ( 원자나 분자, 이온, 전자, 라디컬)
( 보통 0.001% 이하의 기체가 이온화되어 있음. HDP(High Density Plasma의 경우 ~1%)
● 전체적으론 중성이나, 국부적으로는 극성을 나타냄 (플라즈마 진동을 다루면서 다시 설명)
2. 플라즈마 내 충돌
플라스마 내 충돌은 전자의 에너지에 따라 탄성 충돌과 비탄성 충돌로 나뉨
1) 탄성 충돌
● 전자의 에너지가 작은 경우에 해당
● 에너지 손실이 전혀 일어나지 않는 충돌
● 과정
가속된 전자가 기체 원자와 충돌하지만, 원자에 비해 전자가 느리고 가벼워서 기체 원자로 전달할 수 있는 에너지가 매우 작음
→ 전자는 기체 원자와 충돌 후 단순히 방향 전환만 일어남
2) 비탄성 충돌
● 전자가 충분한 속도(에너지)를 얻은 뒤, 기체 원자와 충돌하는 경우
→ 내부 에너지 변화가 나타나며, 다양한 반응이 일어남.
1) Ionization (이온화)
● 전자가 기체 원자와 충돌하여 기체 원자가 이온과 전자로 분리되는 과정
● 충돌로 인해 기체 원자에 이온화 에너지보다 높은 에너지가 가해져야 함.
● 드물게 원자와 원자의 충돌로 나타나기도 함.
2) Excitation (여기)
● 원자가 충돌로 전달받은 에너지가 이온화에너지보단 작지만, 전자를 다른 궤도로 이동시키기에 충분한 경우
3) Relaxation (안정화, 이완)
● Excitation된 원자의 전자는 안정한 궤도보다 높은 곳에 있기 때문에 에너지가 높고 매우 불안정
→ 안정화되면서 본래 궤도로 복귀
→ 이 때 E=hv 만큼의 에너지를 방출 (h : 플랑크 상수, v : 진동수)
4) Dissociation (해리)
● 전자가 분자(AB)와 충돌하여 더 작은 단위의 분자로 만들거나 원자로 만드는 과정
● Radical 이 생성됨
(Radical : 옥텟 규칙을 만족하지 못하고, 전자 2개가 채워져야 하는 오비탈에 전자가 1개만 있는 경우)
+) 이온 : 양이온과 전자의 개수가 다른 상태
(Cl은 양이온이 9개라, 전자를 1개 잃어도 radical이 아님, Cl-은 음이온)
● 3가지 반응이 존재
1. 광분리 과정
외부에서 빛을 받아 분자가 원자로 분리
2. 역분리 (de-excitation)
광분리 과정의 반대 반응
3. 분리 이온화(Dissociative Ionization)
분리 과정 중에 이온화가 같이 섞여 발생
5) Electron Atteachment (전자 흡착)
● 중성입자 혹은 분자에 전자가 충돌하면서 음이온 생성
6) Dissociative Attachement (분리흡착)
● 분리 과정이 진행 중에 전자흡착 과정이 발생
7) Recombination (재결합)
● 이온화와 반대반응
1. 전자-이온 재결합 ( Electron-ion recombination)
전자와 이온이 만나 결합하면서 중성원자가 되며 빛을 방출
→ 방사 재결합(Radiactive recombination) 또는 복사 재결합이라고도 함
2. 이온 재결합 ( Ion-Ion recombination)
3. 분리 재결합 ( Dissociative recombination)
8) Charge transfer (전자 이동)
1. Symmetric Charge Transfer ( 대칭 전하 이동)
원자와 이온 충돌 시, 서로의 전하만 교환하는 경우
2. Asymmetric Charge Transfer ( 비대칭 전하 이동)
서로 다른 원자들 사이에서 전하 이동
REF
도서
반도체 제조 기술의 이해 (곽노열, 한울출판사)
반도체 이론편 (렛유인)
반도체 이론편 (엔지닉)
박막과 스퍼터링 공정 (개날연)
유튜브 및 블로그
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